3D閃存技術(shù)并不罕見，但現(xiàn)在鎂光第一次把它帶進(jìn)了移動設(shè)備領(lǐng)域。

總有一天，智能手機(jī)的內(nèi)存容量終將達(dá)到現(xiàn)在PC的水平。

近日在美國加州圣克拉拉舉行的閃存峰會（Flash Memory Summit）上，全球最大半導(dǎo)體儲存及影像產(chǎn)品制造商之一的鎂光（Micron）正式公布了第一款3D-NAND閃存芯片。

目前市面上普遍使用的手機(jī)芯片為2D-NAND，而鎂光所發(fā)布的這種3D-NAND閃存芯片相比于前者擁有更大的存儲密度，換句話說，就是在體積相同的情況下?lián)碛辛烁蟮拇鎯臻g。

除了存儲空間變大以外，3D-NAND的存儲單元排列方式也發(fā)生了變化。3D-NAND采用垂直的方式立體排布存儲單元，而2D-NAND則采用了水平式排布存儲單元，因此鎂光所發(fā)布的這款3D-NAND閃存芯片在通訊速度上也得到了提升。

據(jù)悉鎂光這款3D閃存芯片的容量為32GB，是全球首個(gè)基于UFS2.1存儲標(biāo)準(zhǔn)的手機(jī)3D-NAND解決方案。 而這種新的UFS2.1存儲技術(shù)其實(shí)就是HS-G3，其讀取速度有1.5GB/s，寫入速度接近500MB/s，為目前UFS 2.0標(biāo)準(zhǔn)的2倍，但目前市面上還沒有智能手機(jī)采用這種存儲技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。

鎂光表示，隨著VR和流媒體視頻的興起，未來用戶對于智能手機(jī)的內(nèi)部存儲容量的需求將會逐步擴(kuò)大在未來幾年時(shí)間里，智能手機(jī)的內(nèi)存空間將達(dá)到如今PC的水平，并有望在2020年達(dá)到1TB，不過他們并未展示出其芯片產(chǎn)品未來的存儲容量發(fā)展路線圖。

據(jù)悉鎂光這款存儲容量為32GB的3D-NAND芯片將在明年下半年開始出貨。

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