邊減產(chǎn)邊建廠,存儲廠商很矛盾

偉銘 2年前 (2023-06-27)

飽漢不知餓漢饑

對消費者來說,今年無疑是買存儲類產(chǎn)品的好時候,不管是內(nèi)存還是硬盤,在今年的消費市場中價格都一再下探。讓筆者都產(chǎn)生了“先不著急買,說不定還能再降點”的思考。

價格的崩盤反應(yīng)了行業(yè)的低迷現(xiàn)狀,DRAM芯片以及NANDFlash閃存市場從2022年下半年開始迎來了持續(xù)寒冬,截止目前為止都沒有明顯活絡(luò)現(xiàn)象,大多品牌只針對訂單需求購貨。

邊減產(chǎn)邊建廠,存儲廠商很矛盾

此前,美光、西數(shù)、三星等廠商都已經(jīng)宣布了減產(chǎn)計劃以消化現(xiàn)有庫存。

但在減產(chǎn)的同時,各家存儲廠商卻又在計劃投建新廠擴(kuò)產(chǎn),可以說十分矛盾。

DRAM價格止跌,擴(kuò)產(chǎn)備戰(zhàn)

根據(jù)TrendForce集邦咨詢的研究顯示,今年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)營收約96.6億美元,季減21.2%,已續(xù)跌三個季度。出貨量方面僅美光有上升,其余均衰退;平均銷售單價三大原廠均下跌。

但隨著幾家存儲廠商的減產(chǎn)帶動市場消化庫存,目前PC、智能手機(jī)所用的DRAM內(nèi)存芯片價格已經(jīng)基本止跌,這也是DRAM市場12個月以來的首次止跌。

結(jié)合知名存儲設(shè)備制造商威剛董事長陳立白在6月初接受采訪時的發(fā)言,他認(rèn)為DRAM芯片的現(xiàn)貨價格將在本季度觸底,后續(xù)可能反彈。

邊減產(chǎn)邊建廠,存儲廠商很矛盾

與此同時,當(dāng)?shù)貢r間6月22日,美光宣布將在印度投資8.25億美元新建一座芯片組裝和測試工廠,將專注于DRAM和NAND產(chǎn)品的組裝和測試制造,以滿足印度國內(nèi)和國際市場的需求。

威剛也計劃在印度增建一座工廠,預(yù)計投資五、六千萬美元,一年后投產(chǎn)。

筆者分析,現(xiàn)階段的廠商建廠增產(chǎn)應(yīng)該是預(yù)估到了行業(yè)的回暖趨勢,新建廠在實際投產(chǎn)時恰好能夠填補(bǔ)回暖后因減產(chǎn)而帶來的產(chǎn)能不足,并吃下大量訂單。

HBM持續(xù)火熱,韓國瓜分蛋糕

與美光不同,同為存儲大廠的三星看向了DRAM芯片的細(xì)分市場HBM。

HBM是一種高附加值DRAM產(chǎn)品,可實現(xiàn)高帶寬,適用于超級計算機(jī)、人工智能加速器等性能要求高的計算系統(tǒng)。與DRAM不同,現(xiàn)階段的HBM市場依舊面臨供不應(yīng)求的局面。

原因不用多說,AI人工智能引發(fā)的算力恐慌讓NVIDIA英偉達(dá)的AI計算卡一夜成為科技圈寵兒,而作為其關(guān)鍵組件的HBM內(nèi)存也同樣迎來了需求大漲。其中,英偉達(dá)高端GPU H100、A100主采HBM2e、HBM3,HBM內(nèi)存滲透率接近100%。

TrendForce集邦咨詢預(yù)估2023年HBM需求量將年增58%,2024年有望再成長約30%,至2025年,有望年均增長45%以上。

邊減產(chǎn)邊建廠,存儲廠商很矛盾

而現(xiàn)階段全球HBM市場占有率最高的為SK海力士,占比近50%,而根據(jù)韓媒《亞洲日報》的消息,占40%份額的三星正在準(zhǔn)備批量生產(chǎn)HBM3(16GB和12GB)產(chǎn)品,并計劃于下半年推出較HBM3容量更高性能更強(qiáng)的下一代HBM3P產(chǎn)品。

不出意外的話,HBM市場將主要由韓國企業(yè)瓜分。

國產(chǎn)進(jìn)軍NAND市場,減產(chǎn)止血難紓解

相比于玩家不多的DRAM和HBM,NANDFlash閃存市場就有些困難了。

隨著長江存儲等國產(chǎn)品牌的入局,NAND閃存以及對應(yīng)的SSD固態(tài)硬盤的價格可以說一路走低。

邊減產(chǎn)邊建廠,存儲廠商很矛盾

以高性價比迅速占領(lǐng)市場的策略,以及不錯的性能和質(zhì)保,帶來了不錯的用戶認(rèn)可度。也讓原本就面臨庫存積壓的國外廠商雪上加霜。

陳立白表示上游原廠供應(yīng)家數(shù)多,造成庫存過多問題非短期可紓解,預(yù)料上游原廠虧損情況嚴(yán)重,會加大減產(chǎn)行動。

長江存儲首席運營官程衛(wèi)華也曾表示,得益于智能手機(jī)、服務(wù)器和個人電腦制造商的需求訂單,全球NAND閃存市場的供需將在今年下半年達(dá)到平衡。

同時,筆者也認(rèn)為受益于AI服務(wù)器出貨量的增長,未來在數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器集群中應(yīng)用的存儲設(shè)備也會讓NAND閃存市場有所受益。

寫在最后

需要注意的是,為了鞏固美國在半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。美國商務(wù)部針對此前的《CHIPS和科學(xué)法案》進(jìn)行了更新,限制中國與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈的聯(lián)系。

邊減產(chǎn)邊建廠,存儲廠商很矛盾

根據(jù)TrendForce集邦咨詢的預(yù)估,受到新法案的影響,中國在全球DRAM產(chǎn)能中的份額將同比下降,NAND閃存產(chǎn)能到2025年預(yù)計將從31%降到18%。

而受到科技廠商青睞的印度則可能在之后迎來半導(dǎo)體市場需求和規(guī)模的快速提升。只是希望各家廠商不要重蹈小米的覆轍了。

本文作者:Visssom,觀點僅代表個人

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