三星手機(jī)再次置頂，128GB存儲加8GB運(yùn)行內(nèi)存讓你的手機(jī)暢玩無極限！

游戲越來越大，視頻越下越多，手機(jī)用不了多久就卡得不行不行的。盡管目前市場上絕大部分的手機(jī)已經(jīng)將配置提升到了4GB的運(yùn)行內(nèi)存，16GB以上的自帶空間，也允許外置存儲卡，但是依舊不夠用。大容量、高配置勢必成為智能手機(jī)市場上不斷提升的需求所在。

據(jù)科技資訊網(wǎng)11月30日報(bào)道，去年8月三星新推出了一款3D立體硅穿孔封裝技術(shù)打造的內(nèi)存芯片，單條DDR4內(nèi)存容量可達(dá)64GB，為全球首例。近日，三星又宣布，預(yù)計(jì)將批量生產(chǎn)128GB的內(nèi)存芯片，容量是去年的兩倍。

三星電子內(nèi)存銷售及營銷副總裁Joo Sun Choi稱表示：這是一款全新的可以達(dá)到批量生產(chǎn)的高運(yùn)行、低消耗的128GB立體硅穿孔封裝DRAM內(nèi)存芯片，將可以為更多的IT企業(yè)客戶提供一些全新的企業(yè)合作解決方案，手機(jī)市場將再一次翻新。

據(jù)介紹，在這款128GB的大容量內(nèi)存條里，內(nèi)置了144個(gè)芯片，36×4GB DRAM封裝，每個(gè)封裝里存有4×8Gb芯片。同時(shí)還采用了三星最先進(jìn)的20毫微米工藝制造，傳輸速度最高可達(dá)2400Mbps，可以替代互連引線接合的使用。對芯片管芯精細(xì)研磨，用細(xì)孔穿孔，電極由穿過孔垂直連接，大大提高了信號傳輸?shù)乃俣?。并且模塊上的特殊設(shè)計(jì)減少了模塊的功耗，大大提高了性能。在內(nèi)存配置上，三星又邁出了領(lǐng)先的關(guān)鍵一步。

同時(shí)，三星還在研究20毫微米的8GB運(yùn)行內(nèi)存芯片，可將傳輸速度提升至3200Mbps或2667Mbps，另外還把硅穿孔技術(shù)應(yīng)用到了高帶寬內(nèi)存當(dāng)中。這就意味著你可以暢通無阻地運(yùn)行各種大型游戲，再也不會卡頓了，這可是相當(dāng)于8GB內(nèi)存電腦的運(yùn)行容量。當(dāng)然，它的價(jià)格也不會很親民，雖還未具體公布，但是據(jù)猜測，至少相當(dāng)于一臺普通筆記本的價(jià)格。

不管怎么說，只要它出現(xiàn)了，就一定會有降價(jià)的一天，平價(jià)高配置必須是市場的主流。

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