芯片發(fā)光器的能效打破了現(xiàn)有紀錄，比同類裝置高出一個數(shù)量級，同時具有較強的抗干擾能力。

近日，美國加州大學歐文分校在其官方網(wǎng)站上發(fā)布公告稱，該校的研究人員成功研制出一種硅基微芯片發(fā)光器，其發(fā)射的G波段（110千兆赫到300千兆赫）毫米波信號創(chuàng)強度紀錄。值得注意的是，該技術預計將在5G無線通信領域展現(xiàn)關鍵應用。

據(jù)悉，G波段的頻率光譜更易穿透人體等物體表面，這將有效提高醫(yī)學和安檢領域掃描和成像裝置的分辨率。經(jīng)實驗室測試表明，芯片發(fā)光器的能效不僅打破了現(xiàn)有紀錄，比同類裝置高出一個數(shù)量級，同時還具有較強的抗干擾能力。

本周將舉行的美國電氣和電子工程師協(xié)會（IEEE）固態(tài)電路國際會議上，該校領導這項研究的電子工程和計算機科學教授帕亞姆·海德瑞，將會詳細介紹這一最新研究成果。

通過查看相關資料，可以看出該硅基微芯片發(fā)光器在設計上有兩個創(chuàng)新之處：

一是將三種重要功能集成到一個裝置內(nèi)，即收集多個放大器的能量、將信號調(diào)到預設頻率、發(fā)出可用于檢測或通訊的信號，舍棄了傳統(tǒng)發(fā)光裝置內(nèi)低效級間系統(tǒng)，大大提高了能量輸出強度；

二是發(fā)光器內(nèi)半導體芯片被設計成八角形，特有的空腔結構使其能發(fā)出圓極性信號，以微型自旋風形式呈現(xiàn)，這種形狀的光束能穿透固體并提供清晰度極高的詳細內(nèi)部圖像。而現(xiàn)有大多數(shù)發(fā)光裝置只能產(chǎn)生線性極性信號，容易造成偏振而使信號減弱。

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