谷歌與高通關(guān)于快速充電技術(shù)的兼容性問題其實(shí)早有交鋒。

【編者按】本文轉(zhuǎn)自DeepTech深科技；作者：嚴(yán)寒、十三

用不了多久，你就能在短短5分鐘的時(shí)間內(nèi)讓你的手機(jī)獲得5小時(shí)的續(xù)航時(shí)間了。

高通公司在美國當(dāng)?shù)貢r(shí)間本周四（11月17日）發(fā)布了第四代快充技術(shù)Quick Charge 4。它的發(fā)布是為下一代旗艦處理器驍龍835做的準(zhǔn)備。

高通公司的高級(jí)產(chǎn)品管理總監(jiān)Everett Roach在周三的驍龍科技峰會(huì)上說，第四代快充技術(shù)可以讓手機(jī)充電 5 分鐘獲得高達(dá) 5 小時(shí)的電池續(xù)航時(shí)間。

Everett Roach表示，“我們?cè)谛庐a(chǎn)品上投入了巨大的精力，只是為了給用戶提供更好的充電體驗(yàn)。”

因?yàn)槌潆娂夹g(shù)是內(nèi)置在驍龍?zhí)幚砥髦?，所以你必須使用配置驍?35 的手機(jī)才能體驗(yàn)到第四代快充技術(shù)的強(qiáng)大性能（高通公司并沒有透露哪些公司會(huì)使用這個(gè)芯片）。

高通雖然沒有著力宣傳新處理器，但根據(jù)其后公布了一些產(chǎn)品細(xì)節(jié)來看。驍龍835將基于三星10納米10LPE FinFET制程工藝，而上一代產(chǎn)品驍龍821則是基于14納米工藝。三星則表示，新的工藝將使處理器尺寸減小30%、性能提升27%，同時(shí)還能降低約40%的能耗。

高通產(chǎn)品管理副總裁KeithKressin（左）和三星高級(jí)副總裁Ben Suh（右）手中拿著的就是最新的旗艦芯片驍龍835。

高通并未將 835 與 821 進(jìn)行性能和能耗對(duì)比，但很明顯，新的產(chǎn)品將更快更省電。目前，高通最新旗艦芯片驍龍835現(xiàn)在開始量產(chǎn)，搭載該芯片的設(shè)備預(yù)計(jì)于明年上半年面世。

芯片是高通的，系統(tǒng)是谷歌的，OEM們很為難

Quick Charge目前是一種通過USB線纜傳輸高電壓與電流，來對(duì)電池進(jìn)行快速充電的專利技術(shù)。由于這項(xiàng)技術(shù)是基于非標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)及非標(biāo)準(zhǔn)USB連接，因此導(dǎo)致了各種兼容性問題。

也正是因?yàn)檫@個(gè)原因，谷歌最新發(fā)布的《安卓兼容性定義文檔》（Android Compatibility Definition Document）中強(qiáng)烈建議OEM廠商不要使用Quick Charge技術(shù)，矛頭直指以高通Quick Charge為代表的第三方快速充電技術(shù)。例如，谷歌剛剛發(fā)布的Pixel手機(jī)就使用了USB-PD充電協(xié)議。

谷歌與高通關(guān)于快速充電技術(shù)的兼容性問題其實(shí)早有交鋒。今年上半年，一名谷歌工程師發(fā)表文章稱，基于Type-C接口的Quick Charge快充技術(shù)不夠安全。對(duì)此高通的回應(yīng)是：Quick Charge快充技術(shù)獨(dú)立于接口，可以部署在多種接口的設(shè)備上，包括USB Type-A、USB micro、USB Type-C等。

OEM廠商選擇使用Quick Charge快充技術(shù)的時(shí)候，完全可以在USB Type-C標(biāo)準(zhǔn)的范圍內(nèi)自行定制充電電壓。而且當(dāng)前使用USB Type-C型接口的手機(jī)中，大多數(shù)確實(shí)都采用了高通的Quick Charge快充技術(shù)。

面對(duì)谷歌的強(qiáng)勢，高通顯然做好了接招的準(zhǔn)備：除了大大縮短充電時(shí)間，還將兼容谷歌力推的USB-PD（USB電力傳輸）。這意味著，配備Quick Charge 4的設(shè)備不僅能享受更快的充電速度，還不會(huì)與谷歌的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)生沖突。

根據(jù)高通統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)，目前有超過100家手機(jī)廠商在使用Quick Charge快充技術(shù)。鑒于現(xiàn)階段高通對(duì)手機(jī)廠商的影響力更為強(qiáng)大，谷歌的策略能否順利實(shí)施還很難說。

但高通雖然占得先機(jī)，也并不代表著Quick Charge快充技術(shù)的前景會(huì)一帆風(fēng)順。在2016年10月舉辦的USB 開發(fā)者大會(huì)上，就有與會(huì)專家明確表示高通搭載高通快充技術(shù)的設(shè)備有可能無法通過USB-IF認(rèn)證，這也給Quick Charge快充技術(shù)的未來蒙上了一層陰霾。

電池技術(shù)無突破，只有忍耐更長時(shí)間充電

電池的續(xù)航問題一直是用戶的痛點(diǎn)，而且在手機(jī)、平板電腦的屏幕越來越大、性能越來越強(qiáng)的同時(shí)問題變得日益嚴(yán)重。根據(jù)高通公司的調(diào)查顯示，快充已經(jīng)成為61%手機(jī)消費(fèi)者的優(yōu)先選擇。

高通公司將Quick Charge快充技術(shù)使用的算法稱為“最優(yōu)化電壓的智能協(xié)商”（INOV），能夠管理你的設(shè)備在充電過程中所需的電量。第四代快充技術(shù)的升級(jí)也包括對(duì)發(fā)熱的控制，可以使手機(jī)或平板電腦在充電的時(shí)候不致過熱，而充電過熱的問題幾乎就是三星Note7失敗的根本原因。

Everett Roach說，安全問題是高通公司關(guān)注的一個(gè)重要事項(xiàng)。使用第四代快充技術(shù)的設(shè)備能夠得到有效保護(hù)，避免過度充電和設(shè)備過熱等問題。這主要是基于配置驍龍835的手機(jī)擁有電流電壓的三重防護(hù)，以及防止過熱的四重防護(hù)。而驍龍835也能管理電池使用壽命，讓用戶使用更長時(shí)間。

相比上一代快充技術(shù)，第四代快充技術(shù)的充電速度提升20%，電池使用效率提升30%。這意味著，2~3分鐘的充電時(shí)間，就能讓你的手機(jī)獲得額外1~2小時(shí)的使用時(shí)間。

第四代快充技術(shù)也會(huì)讓你的手機(jī)在充電時(shí)溫度更低，較上一代快充溫度可以降低最多5攝氏度。

上圖為目前的Quick Charge 3快充技術(shù)，四代將有極大提升

實(shí)際上，高通公司并不想把快充技術(shù)僅僅用在手機(jī)上。Everett Roach說，第四代快充技術(shù)可以讓平板電腦、虛擬現(xiàn)實(shí)頭盔、無人機(jī)等設(shè)備在數(shù)分鐘之內(nèi)充滿電。

無論如何，在電池技術(shù)沒有實(shí)現(xiàn)真正重大突破的窘境下，人們只能退而求其次，轉(zhuǎn)向追求更快的充電速度，畢竟目前已經(jīng)有超過6億的設(shè)備支持快充技術(shù)了——這就是現(xiàn)實(shí)。

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