SSMB?EUV光源將有望解決光刻機的“卡脖子”難題。

近日，來自清華大學的科研團隊發(fā)表了一份基于SSMB的EUV光源技術(shù)研究成果，該項技術(shù)將有助于解決目前我國自研光刻機中最核心的“卡脖子”難題。

據(jù)清華大學官網(wǎng)發(fā)布的消息，清華大學工程物理系教授唐傳祥研究組與來自亥姆霍茲柏林材料與能源研究中心（HZB），以及德國聯(lián)邦物理技術(shù)研究院（PTB）的合作團隊在《自然》科學雜志（Nature）上，刊發(fā)了題為“穩(wěn)態(tài)微聚束原理的實驗演示”（Experimentaldemonstration of the mechanism of steady-state microbunching）的研究論文。

該論文報告了一種新型粒子加速器光源“穩(wěn)態(tài)微聚束”（Steady-state microbunching，SSMB），及其首個原理驗證實驗。

據(jù)介紹，在芯片制造產(chǎn)業(yè)鏈中，光刻機是必不可少的精密設(shè)備，是集成電路芯片制造中最復(fù)雜和關(guān)鍵的工藝步驟。芯片工業(yè)界公認的新一代主流光刻技術(shù)，是采用波長為13.5納米光源的EUV（極紫外光源）光刻技術(shù)。其中，大功率的EUV光源是EUV光刻機的核心基礎(chǔ)。

EUV光刻機被認為是最頂尖的光刻機，也是高精尖芯片生產(chǎn)過程中不可或缺的設(shè)備。但該設(shè)備目前只能由荷蘭ASML公司生產(chǎn)，且每臺設(shè)備售價超過1億美元。

生產(chǎn)光刻機的其中一項技術(shù)難點，是如何提供波長短、功率大的EUV光源。

據(jù)清華大學研究團隊發(fā)布的實驗結(jié)果顯示，基于SSMB原理，能獲得高功率、高重頻、窄帶寬的相干輻射，波長可覆蓋從太赫茲到極紫外（EUV）波段。

因此，《自然》評閱人對穩(wěn)態(tài)微聚束原理的實驗成果給予了高度評價，認為該項研究展示了一種新的方法論，必將引起粒子加速器和同步輻射領(lǐng)域的興趣。

唐傳祥教授表示，“SSMB光源的潛在應(yīng)用之一是作為未來EUV光刻機的光源，這是國際社會高度關(guān)注清華大學SSMB研究的重要原因。”

他還指出，盡管SSMBEUV光源有望解決自主研發(fā)光刻機中最核心光源問題，但EUV 光刻機的自主研發(fā)還有很長的路要走。這不僅需要對SSMB EUV光源的持續(xù)科研攻關(guān)，還需要半導體行業(yè)上下游產(chǎn)業(yè)鏈的配合。

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