高通重磅發(fā)布超級充電科技,谷歌卻意圖將其扼殺!
谷歌與高通關(guān)于快速充電技術(shù)的兼容性問題其實早有交鋒。
【編者按】本文轉(zhuǎn)自DeepTech深科技;作者:嚴(yán)寒、十三
用不了多久,你就能在短短5分鐘的時間內(nèi)讓你的手機獲得5小時的續(xù)航時間了。
高通公司在美國當(dāng)?shù)貢r間本周四(11月17日)發(fā)布了第四代快充技術(shù)Quick Charge 4。它的發(fā)布是為下一代旗艦處理器驍龍835做的準(zhǔn)備。
高通公司的高級產(chǎn)品管理總監(jiān)Everett Roach在周三的驍龍科技峰會上說,第四代快充技術(shù)可以讓手機充電 5 分鐘獲得高達(dá) 5 小時的電池續(xù)航時間。
Everett Roach表示,“我們在新產(chǎn)品上投入了巨大的精力,只是為了給用戶提供更好的充電體驗。”
因為充電技術(shù)是內(nèi)置在驍龍?zhí)幚砥髦?,所以你必須使用配置驍?35 的手機才能體驗到第四代快充技術(shù)的強大性能(高通公司并沒有透露哪些公司會使用這個芯片)。
高通雖然沒有著力宣傳新處理器,但根據(jù)其后公布了一些產(chǎn)品細(xì)節(jié)來看。驍龍835將基于三星10納米10LPE FinFET制程工藝,而上一代產(chǎn)品驍龍821則是基于14納米工藝。三星則表示,新的工藝將使處理器尺寸減小30%、性能提升27%,同時還能降低約40%的能耗。
高通產(chǎn)品管理副總裁KeithKressin(左)和三星高級副總裁Ben Suh(右)手中拿著的就是最新的旗艦芯片驍龍835。
高通并未將 835 與 821 進行性能和能耗對比,但很明顯,新的產(chǎn)品將更快更省電。目前,高通最新旗艦芯片驍龍835現(xiàn)在開始量產(chǎn),搭載該芯片的設(shè)備預(yù)計于明年上半年面世。
芯片是高通的,系統(tǒng)是谷歌的,OEM們很為難
Quick Charge目前是一種通過USB線纜傳輸高電壓與電流,來對電池進行快速充電的專利技術(shù)。由于這項技術(shù)是基于非標(biāo)準(zhǔn)信號及非標(biāo)準(zhǔn)USB連接,因此導(dǎo)致了各種兼容性問題。
也正是因為這個原因,谷歌最新發(fā)布的《安卓兼容性定義文檔》(Android Compatibility Definition Document)中強烈建議OEM廠商不要使用Quick Charge技術(shù),矛頭直指以高通Quick Charge為代表的第三方快速充電技術(shù)。例如,谷歌剛剛發(fā)布的Pixel手機就使用了USB-PD充電協(xié)議。
谷歌與高通關(guān)于快速充電技術(shù)的兼容性問題其實早有交鋒。今年上半年,一名谷歌工程師發(fā)表文章稱,基于Type-C接口的Quick Charge快充技術(shù)不夠安全。對此高通的回應(yīng)是:Quick Charge快充技術(shù)獨立于接口,可以部署在多種接口的設(shè)備上,包括USB Type-A、USB micro、USB Type-C等。
OEM廠商選擇使用Quick Charge快充技術(shù)的時候,完全可以在USB Type-C標(biāo)準(zhǔn)的范圍內(nèi)自行定制充電電壓。而且當(dāng)前使用USB Type-C型接口的手機中,大多數(shù)確實都采用了高通的Quick Charge快充技術(shù)。
面對谷歌的強勢,高通顯然做好了接招的準(zhǔn)備:除了大大縮短充電時間,還將兼容谷歌力推的USB-PD(USB電力傳輸)。這意味著,配備Quick Charge 4的設(shè)備不僅能享受更快的充電速度,還不會與谷歌的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)生沖突。
根據(jù)高通統(tǒng)計的數(shù)據(jù),目前有超過100家手機廠商在使用Quick Charge快充技術(shù)。鑒于現(xiàn)階段高通對手機廠商的影響力更為強大,谷歌的策略能否順利實施還很難說。
但高通雖然占得先機,也并不代表著Quick Charge快充技術(shù)的前景會一帆風(fēng)順。在2016年10月舉辦的USB 開發(fā)者大會上,就有與會專家明確表示高通搭載高通快充技術(shù)的設(shè)備有可能無法通過USB-IF認(rèn)證,這也給Quick Charge快充技術(shù)的未來蒙上了一層陰霾。
電池技術(shù)無突破,只有忍耐更長時間充電
電池的續(xù)航問題一直是用戶的痛點,而且在手機、平板電腦的屏幕越來越大、性能越來越強的同時問題變得日益嚴(yán)重。根據(jù)高通公司的調(diào)查顯示,快充已經(jīng)成為61%手機消費者的優(yōu)先選擇。
高通公司將Quick Charge快充技術(shù)使用的算法稱為“最優(yōu)化電壓的智能協(xié)商”(INOV),能夠管理你的設(shè)備在充電過程中所需的電量。第四代快充技術(shù)的升級也包括對發(fā)熱的控制,可以使手機或平板電腦在充電的時候不致過熱,而充電過熱的問題幾乎就是三星Note7失敗的根本原因。
Everett Roach說,安全問題是高通公司關(guān)注的一個重要事項。使用第四代快充技術(shù)的設(shè)備能夠得到有效保護,避免過度充電和設(shè)備過熱等問題。這主要是基于配置驍龍835的手機擁有電流電壓的三重防護,以及防止過熱的四重防護。而驍龍835也能管理電池使用壽命,讓用戶使用更長時間。
相比上一代快充技術(shù),第四代快充技術(shù)的充電速度提升20%,電池使用效率提升30%。這意味著,2~3分鐘的充電時間,就能讓你的手機獲得額外1~2小時的使用時間。
第四代快充技術(shù)也會讓你的手機在充電時溫度更低,較上一代快充溫度可以降低最多5攝氏度。
上圖為目前的Quick Charge 3快充技術(shù),四代將有極大提升
實際上,高通公司并不想把快充技術(shù)僅僅用在手機上。Everett Roach說,第四代快充技術(shù)可以讓平板電腦、虛擬現(xiàn)實頭盔、無人機等設(shè)備在數(shù)分鐘之內(nèi)充滿電。
無論如何,在電池技術(shù)沒有實現(xiàn)真正重大突破的窘境下,人們只能退而求其次,轉(zhuǎn)向追求更快的充電速度,畢竟目前已經(jīng)有超過6億的設(shè)備支持快充技術(shù)了——這就是現(xiàn)實。
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