長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布量產(chǎn)64層3D NAND閃存,通過(guò)Xtacking架構(gòu)大幅提升性能和研發(fā)制造周期

Lynn 6年前 (2019-09-02)

長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層NAND產(chǎn)品的量產(chǎn)一舉打破了全球NAND Flash的格局,為中國(guó)存儲(chǔ)技術(shù)贏得了更多話(huà)語(yǔ)權(quán)。

一直以來(lái),存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)都是由美、韓企業(yè)(三星、SK海力士、美光等)主導(dǎo),因此受政治、產(chǎn)業(yè)等因素影響,2018年至2019年,存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)價(jià)格波動(dòng)非常之大,而作為最大的需求市場(chǎng),苦于沒(méi)有核心技術(shù)和產(chǎn)品,我國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)也一直處于相對(duì)被動(dòng)的狀態(tài)。

2018年,在主流的3D NAND市場(chǎng)中,因技術(shù)的提升,64層堆棧的3D NAND閃存大規(guī)模量產(chǎn)讓存儲(chǔ)芯片價(jià)格大幅降低,也更加利于擁有該技術(shù)的廠商來(lái)?yè)屨际袌?chǎng)。

9月2日消息,紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布,為了滿(mǎn)足固態(tài)硬盤(pán)等存儲(chǔ)需求,公司已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 GB TLC 3D NAND閃存。長(zhǎng)江存儲(chǔ)因此成為中國(guó)首家推出該產(chǎn)品的廠家,也一舉打破了全球的NAND Flash格局,為中國(guó)存儲(chǔ)技術(shù)贏得更多話(huà)語(yǔ)權(quán)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布量產(chǎn)64層3D NAND閃存,通過(guò)Xtacking架構(gòu)大幅提升性能和研發(fā)制造周期

不同于市面上的64層NAND產(chǎn)品,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的這款產(chǎn)品采用的是Xtacking架構(gòu),它能夠?qū)⑼鈬娐分糜诖鎯?chǔ)單元之上,從而大幅提升產(chǎn)品的存儲(chǔ)密度。另Xtacking架構(gòu)充分利用存儲(chǔ)單元和外圍電路的獨(dú)立加工優(yōu)勢(shì),實(shí)現(xiàn)了并行的、模塊化的產(chǎn)品設(shè)計(jì)及制造,使產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間能夠在原有基礎(chǔ)上縮短三個(gè)月,生產(chǎn)周期縮短20%,從而大幅縮短產(chǎn)品的上市時(shí)間。此外,這種模塊化的方式也為引入新功能以實(shí)現(xiàn)NAND閃存的定制化提供了可能。

對(duì)此,長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華表示:“通過(guò)將Xtacking架構(gòu)引入批量生產(chǎn),能夠顯著提升產(chǎn)品性能,縮短開(kāi)發(fā)周期和生產(chǎn)制造周期,從而推動(dòng)高速大容量存儲(chǔ)解決方案市場(chǎng)的快速發(fā)展。而隨著5G、人工智能和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心時(shí)代的到來(lái),閃存市場(chǎng)的需求將持續(xù)增長(zhǎng),長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D NAND閃存產(chǎn)品的量產(chǎn)將為全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)健康發(fā)展注入新動(dòng)力。”

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