臺積電在新工藝上花費(fèi)的成本將成為天文數(shù)字。

這幾年，臺積電在最新制程工藝上一直遙遙領(lǐng)先其競爭對手。根據(jù)最新報(bào)道顯示，臺積電目前在2nm工藝上取得了一項(xiàng)重大技術(shù)突破，盡管該技術(shù)并未對外披露細(xì)節(jié)，但有關(guān)人士預(yù)計(jì)，臺積電2nm工藝有望在2023年下半年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，并在2024年進(jìn)入量產(chǎn)階段。

臺積電表示，2nm的突破將再次拉大與競爭對手的差距，同時(shí)延續(xù)摩爾定律，繼續(xù)挺進(jìn)1nm工藝的研發(fā)。目前臺積電在5nm工藝上遙遙領(lǐng)先競爭對手，而3nm工藝已預(yù)計(jì)于近日開始生產(chǎn)。按計(jì)劃，蘋果、高通、NVIDIA、AMD等客戶都有望率先采納其2nm工藝。

2nm工藝上，臺積電將放棄延續(xù)多年的FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)，甚至不使用三星規(guī)劃在3nm工藝上使用的GAAFET(環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管)，也就是納米線(nanowire)，而是將其拓展成為“MBCFET”(多橋通道場效應(yīng)晶體管)，也就是納米片(nanosheet)。該技術(shù)能夠大大改進(jìn)電路控制，降低漏電率。

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