第三類存儲技術(shù)，不僅可以實(shí)現(xiàn)“內(nèi)存級”的數(shù)據(jù)讀寫速度，還可以按需定制存儲器的數(shù)據(jù)存儲周期。

近日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準(zhǔn)非易失存儲原型器件，開創(chuàng)了第三類存儲技術(shù)，寫入速度比目前U盤快一萬倍，數(shù)據(jù)存儲時(shí)間也可自行決定。

據(jù)張衛(wèi)介紹，目前半導(dǎo)體電荷存儲技術(shù)主要有兩類，第一類是易失性存儲，如計(jì)算機(jī)內(nèi)存，數(shù)據(jù)寫入僅需幾納秒左右，但斷電后數(shù)據(jù)會立即消失；第二類是非易失性存儲，如U盤，數(shù)據(jù)寫入需要幾微秒到幾十微秒，但無需額外能量可保存10年左右。

為了研發(fā)出兩種性能可兼得的新型電荷存儲技術(shù)，該團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新性地選擇了多重二維半導(dǎo)體材料，堆疊構(gòu)成了半浮柵結(jié)構(gòu)晶體管：二氧化鉬和二硒化鎢像是一道隨手可關(guān)的門，電子易進(jìn)難出，用于控制電荷輸送；氮化硼作為絕緣層，像是一面密不透風(fēng)的墻，使得電子難以進(jìn)出；而二硫化鉿作為存儲層，用以保存數(shù)據(jù)。周鵬說，只要調(diào)節(jié)“門”和“墻”的比例，就可以實(shí)現(xiàn)對“寫入速度”和“非易失性”的調(diào)控。

此次研發(fā)的第三代電荷存儲技術(shù)，寫入速度比目前U盤快1萬倍，數(shù)據(jù)刷新時(shí)間是內(nèi)存技術(shù)的156倍，并且擁有卓越的調(diào)控性，可以實(shí)現(xiàn)按需“裁剪”數(shù)據(jù)10秒至10年的保存周期。這種全新特性不僅可以極大降低高速內(nèi)存的存儲功耗，同時(shí)還可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)有效期截止后自然消失，在特殊應(yīng)用場景解決了保密性和傳輸?shù)拿堋?/p>

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