在與臺(tái)積電的3nm工藝競(jìng)爭(zhēng)中，三星已經(jīng)搶先一步。

據(jù)外媒報(bào)道，三星已經(jīng)成功流片3nm GAA芯片，這讓三星離真正實(shí)現(xiàn)3nm芯片量產(chǎn)更近一步。

當(dāng)下，芯片封裝最先進(jìn)的工藝是5nm，同時(shí)3nm工藝也正處在技術(shù)攻堅(jiān)階段。此前臺(tái)積電曾表示，自家3nm工藝明年就能量產(chǎn)。不過臺(tái)積電的3nm工藝依然選擇了傳統(tǒng)的FinFET 晶體管技術(shù)，而三星押注了更加激進(jìn)的GAA技術(shù)。

三星采用的下一代工藝技術(shù)——GAA全稱為環(huán)繞柵極晶體管。通過使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋 - 通道場(chǎng)效應(yīng)管），該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能，主要用來取代FinFET晶體管技術(shù)。

早在2019年，三星就公布了3nm GAA工藝的PDK物理設(shè)計(jì)套件標(biāo)準(zhǔn)，這一次 3nm芯片流片也是同Synopsys合作完成，雙方聯(lián)合驗(yàn)證了該工藝的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)流程。

根據(jù)三星的說法，與5nm制造工藝相比， 3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了 35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。

不過此次三星、 Synopsys 并沒有透露這次驗(yàn)證的 3nm GAA 芯片的詳情，官方只說GAA架構(gòu)改進(jìn)了靜電特性，提高了性能，降低了功耗。網(wǎng)絡(luò)上也對(duì)三星3nm GAA工藝保持著觀望態(tài)度。

三星3nm GAA芯片的流片意味著三星在3nm工藝競(jìng)爭(zhēng)中搶先一步。但最終的進(jìn)度依然不好說，只有真正完成量產(chǎn)才能在搶占客戶上搶占先進(jìn)。目前來看，臺(tái)積電3nm工藝更加成熟。

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