崛起之前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)躲不過“專利”這道檻。

11月9日，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美國(guó)加州北區(qū)地方法院正式起訴美系存儲(chǔ)大廠美光，指控其侵犯了8項(xiàng)3D NAND相關(guān)的美國(guó)專利。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在專利侵權(quán)起訴書中表示，訴訟是為了終止美光廣泛且未經(jīng)授權(quán)使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)專利創(chuàng)新。

一直以來，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠商在海外大廠面前都扮演著“弱者”形象，而這一次長(zhǎng)江存儲(chǔ)選擇主動(dòng)出擊。

在這背后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的硬實(shí)力是一方面。更重要的是，中國(guó)半導(dǎo)體廠商已經(jīng)重視到專利這把“武器”。

國(guó)產(chǎn)廠商，挑戰(zhàn)存儲(chǔ)巨頭

NAND，又叫閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器（ROM），斷電后仍能保存數(shù)據(jù)，通常應(yīng)用于外部存儲(chǔ)器。

用通俗的語言，其實(shí)就是我們熟知的“硬盤”。

包括SSD固態(tài)硬盤、U盤等等在內(nèi)，其實(shí)都是NAND。但一般來說，存儲(chǔ)大廠之間的比拼，都圍繞在大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)上。

想要提升NAND的性能，主要有兩個(gè)技術(shù)路徑。

其一，是和手機(jī)芯片類似，提升制程節(jié)點(diǎn)；而當(dāng)傳統(tǒng)2D NAND技術(shù)走到瓶頸后，只能通過縱向疊加層數(shù)的方式獲取高密度和大容量，這就是3D NAND技術(shù)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)之所以能在近些年攪局NAND市場(chǎng)，正是在國(guó)際存儲(chǔ)巨頭集體轉(zhuǎn)向3D NAND的重要轉(zhuǎn)折點(diǎn)，搶先一步量產(chǎn)232層閃存顆粒，并交付給第三方企業(yè)進(jìn)行封裝流入市場(chǎng)。

這一切，得益于長(zhǎng)江存儲(chǔ)在2018年發(fā)布的名為“Xtacking架構(gòu)”的新技術(shù)。

該技術(shù)簡(jiǎn)單來說是可以實(shí)現(xiàn)并行、模塊化產(chǎn)品設(shè)計(jì)及制造，縮短開發(fā)時(shí)間和生產(chǎn)周期的同時(shí)，還能實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND技術(shù)更高的存儲(chǔ)密度與性能。

在這個(gè)buff的加持下，長(zhǎng)江存儲(chǔ)一路開掛。

不僅快速追上與海力士、三星等大廠的距離，并且在同行剛開啟商業(yè)化時(shí)，率先實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

目前，Xtacking技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到3.0，不少存儲(chǔ)國(guó)際大廠都對(duì)技術(shù)非常感興趣，甚至傳出不排除以技術(shù)交叉授權(quán)的方式來彼此合作，足以看出長(zhǎng)江存儲(chǔ)在專利層面的儲(chǔ)備。

在指控書里，長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示，美光侵犯了美國(guó)專利號(hào)為“10,950,623”、“11,501,822”、“10,658,378”、“10,937,806”、“10,861,872”、“11,468,957”、“11,600,342”和“10,868,031"，涉及侵權(quán)的產(chǎn)品包括96層、128層、176層、232層的3D NAND。

半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)專家表示，這些專利的申請(qǐng)日都在2018年之后，并不是長(zhǎng)江存儲(chǔ)早期成立時(shí)的專利，而是與Xtacking技術(shù)關(guān)系緊密，因此大概率會(huì)與美光技術(shù)產(chǎn)生重復(fù)，且技術(shù)成熟度可能會(huì)更好。

此外，根據(jù)IFI Claims的統(tǒng)計(jì)顯示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在2020年之后在美國(guó)陸續(xù)有獲得專利授權(quán)，并且在近兩年呈現(xiàn)出穩(wěn)定和增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)，目前已經(jīng)有近400項(xiàng)專利，足以看出長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美國(guó)布局專利的力度。

值得一提的是，在長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立之初，中科院微電子所向其授權(quán)了1000多項(xiàng)閃存專利，更直接派出了工程師團(tuán)隊(duì)現(xiàn)場(chǎng)支援。也正是這些積累多年的專利，為長(zhǎng)江存儲(chǔ)的快速成長(zhǎng)奠定了基礎(chǔ)。

專利戰(zhàn)，虛虛實(shí)實(shí)

雖然長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美國(guó)本土專利儲(chǔ)備上做足了準(zhǔn)備，但相比于美光近13100項(xiàng)有效的美國(guó)專利，前者還是有種“蚍蜉撼大樹”的感覺。

而在今年1月份，有一家名為BeSang的美國(guó)初創(chuàng)公司，同樣因?yàn)?D NAND技術(shù)起訴了美光和英特爾，但因其體量過小，目前也沒有太大進(jìn)展。

另一方面，在長(zhǎng)江存儲(chǔ)指控的176層3D NAND技術(shù)上，美光其實(shí)是全球首個(gè)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的廠商，在其專有的CuA（CMOS-under-array）架構(gòu)下，美光的進(jìn)度算是最快的。

既然有這么多不利因素，那么長(zhǎng)江存儲(chǔ)為何還要死磕美光呢？

據(jù)《 問芯Voice》的報(bào)道，專利戰(zhàn)真正目的，是為了在美國(guó)的出口管制封鎖下，為公司爭(zhēng)取公平談判的機(jī)會(huì)，是為公司的生存而戰(zhàn)。

在過去幾十年間，西方科技巨頭之間的專利大戰(zhàn)屢見不鮮，而中國(guó)廠商在近些年才開始涉及到專利糾紛，多少有些“不適應(yīng)。

對(duì)于科技公司而言，知識(shí)產(chǎn)權(quán)其實(shí)是公司的競(jìng)爭(zhēng)力之一，而專利則是知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核心構(gòu)成。

因此科技巨頭之間的專利大戰(zhàn)，金錢利益永遠(yuǎn)不是第一位，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)才是背后更重要的一環(huán)。

就長(zhǎng)江存儲(chǔ)而言，目前雖然在NAND市場(chǎng)有了一席之地，但依然受到了不少打壓。

為了打開更大的市場(chǎng)，競(jìng)爭(zhēng)是躲不了的一環(huán)。

圖源 | 長(zhǎng)橋海豚投研

比起三星、海力士等韓系大廠，美光自帶“美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)”的身份，更容易受到市場(chǎng)的關(guān)注。

尤其是在中美半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)對(duì)抗、中國(guó)企業(yè)長(zhǎng)期受到出口管制的不公平對(duì)待的大背景下，“長(zhǎng)江存儲(chǔ)vs美光”的對(duì)抗更有機(jī)會(huì)提升中國(guó)企業(yè)的信息。

另一方面，目前美光在國(guó)內(nèi)被限制，自身發(fā)展又受到半導(dǎo)體“周期性”影響，仍處在低谷，對(duì)于長(zhǎng)江存儲(chǔ)而言，這正是難得的機(jī)會(huì)。

這或許印證了那句，“進(jìn)攻就是最好的防守”。

專利戰(zhàn)的虛虛實(shí)實(shí)背后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)足夠吸引全行業(yè)的目光。

勝算雖大，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)依然很難

去年年底，長(zhǎng)江存儲(chǔ)被美國(guó)商務(wù)部列入實(shí)體清單，限制了先進(jìn)設(shè)備材料的進(jìn)出口。這恰好是長(zhǎng)江存儲(chǔ)公開宣布232層顆粒量產(chǎn)的時(shí)間。

在失去領(lǐng)先的“窗口期”之后，美光、SK海力士、三星等廠商逐漸追了上來，在技術(shù)上還反超了長(zhǎng)江存儲(chǔ)。

目前，SK海力士已經(jīng)公布了其最新的321層堆疊4D NAND Flash閃存樣品，三星、美光也陸續(xù)曝光300+層NAND閃存。

顯然，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在300+層時(shí)代開始走向了落后。

不過在價(jià)格、以及產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)面前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)還是能在短時(shí)間內(nèi)攪動(dòng)市場(chǎng)。

同時(shí)，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金繼續(xù)為長(zhǎng)江進(jìn)行投資，保證其產(chǎn)能以及研發(fā)進(jìn)度。

希望這次專利訴訟，能為長(zhǎng)江存儲(chǔ)再次爭(zhēng)取到下一個(gè)“窗口”，同時(shí)也為更多中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)帶來信心。

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