手握遙遙領(lǐng)先的硬件支持，英偉達(dá)在AI時代已經(jīng)是神一般的存在。而靠著AI賺錢的并不只有AI芯片公司，手握HBM技術(shù)的存儲芯片三巨...

手握遙遙領(lǐng)先的硬件支持，英偉達(dá)在AI時代已經(jīng)是神一般的存在。而靠著AI賺錢的并不只有AI芯片公司，手握HBM技術(shù)的存儲芯片三巨頭也在今年大賺一筆。

據(jù)韓國媒體BusinessKorea報道，三星電子通過內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)宣布，其設(shè)備解決方案（DS）部門的內(nèi)存業(yè)務(wù)部門員工將獲得相當(dāng)于基本工資 200% 的下半年績效獎金，這筆名為“目標(biāo)達(dá)成激勵”（TAI）的獎金，將于近期發(fā)放，目的是激勵并慶祝半導(dǎo)體部門在公司長期發(fā)展中取得的重要成就。

據(jù)報道稱，內(nèi)存業(yè)務(wù)部門績效獎金的大幅提升，主要得益于半導(dǎo)體市場的復(fù)蘇以及該部門業(yè)績的快速好轉(zhuǎn)。

有數(shù)據(jù)統(tǒng)計，去年三星內(nèi)存業(yè)務(wù)部門虧損高達(dá)10 萬億韓元，而今年將實現(xiàn)約 20 萬億韓元的的盈余，完成了徹底的翻身。也正是這一成績，讓DS 部門獲得了有史以來最高的 TAI 金額。

有意思的是，就在今年上半年，三星電子的半導(dǎo)體部門剛剛經(jīng)歷了一場“突襲式”的人事變動。在存儲芯片領(lǐng)域工作多年的Jun Young Hyun（全永賢）接替了半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的原負(fù)責(zé)人Kyung Kyehyun（慶桂顯），成為三星電子新一任芯片主管。

要說DS 部門之前有多慘，前面提到內(nèi)存業(yè)務(wù)部去年虧損高達(dá)10 萬億韓元，晶圓代工和系統(tǒng) LSI 業(yè)務(wù)更是沒拿到一分錢年終獎。在面對股東們的尖銳問題時，慶桂顯只能不斷重復(fù)“會做得更好”。相比之下，三星電子另一大業(yè)務(wù)消費電子（設(shè)備體驗（DX）部門）的高管們幾乎沒有收到任何提問。

當(dāng)然，系統(tǒng) LSI 和晶圓代工業(yè)務(wù)部其實今年的表現(xiàn)依然前景不太明朗，整個部門全靠著HBM產(chǎn)品硬撐。

在全永賢上任之后，三星半導(dǎo)體部門一個很明顯的趨勢就是將HBM芯片進(jìn)行分割重點發(fā)展。

在此之前，三星是存儲三巨頭中唯一一家不向英偉達(dá)公司供貨HBM芯片的企業(yè)。除了自身產(chǎn)品性能達(dá)不到英偉達(dá)的要求以外，最重要的因素還是三星電子內(nèi)部沒有未能及時建立HBM研發(fā)中心并整合相關(guān)研究人員，最終導(dǎo)致內(nèi)存戰(zhàn)略持續(xù)失策從而陷入不斷虧損。

好消息是，HBM市場足夠大，僅僅是供貨HBM3芯片就已經(jīng)讓三星電子吃飽了AI紅利。

根據(jù)美光最新一份財報提供的數(shù)據(jù)，在消費電子需求下降以及中國供應(yīng)商開始加大供貨的背景下，內(nèi)存價格在年中達(dá)到頂點之后開始，通用DRAM和NAND Flash的價格都在大幅下降，而受益于HBM需求的激增，DRAM業(yè)務(wù)（包含HBM）最終還是幫助美光填平了下滑周期的”大坑“。

對于2025年的總市場情況，美光給出了300億美元的預(yù)期，而目前能吃下這個市場的只有存儲芯片三巨頭，這也是為什么三星電子能在存儲市場下跌周期里實現(xiàn)復(fù)蘇的重要原因。

目前，SK海力士、三星、以及美光都在加速推進(jìn)第六代HBM產(chǎn)品（HBM4）的開發(fā)，而第七代HBM產(chǎn)品HBM4E的開發(fā)同時提上了日程。

近日，美光就分享了最新的HBM4和HBM4E的開發(fā)情況。其中HBM4有望在2026年量產(chǎn)，HBM4E也會在2027年至2028年之間到來。除了提供更高的數(shù)據(jù)傳輸速度外，HBM4E還將采用可定制的基礎(chǔ)芯片，這標(biāo)志著行業(yè)的范式轉(zhuǎn)變。

從研發(fā)進(jìn)度上來看，除了三巨頭以外，其他競爭對手都會在明年陷入庫存調(diào)整的影響，一定程度上再度拉開了差距。

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