除了臺(tái)積電與三星以外，英特爾也表現(xiàn)出對(duì)3nm的極大期望。

日前，臺(tái)積電官方正式宣布，將在2023年推出3nm工藝的增強(qiáng)版，該工藝將被命名為“3nm Plus”，首發(fā)客戶依然是蘋(píng)果。按蘋(píng)果一年更新一代芯片的速度，屆時(shí)使用3nm Plus工藝的將是“A17”芯片。

臺(tái)積電官方并未透露出3nm Plus工藝的詳細(xì)信息，從以往的升級(jí)可以推測(cè)，3nm Plus將比3nm擁有更多的晶體管密度以及更低功耗。

參照臺(tái)積電此前公布的3nm工藝，晶體管密度提升了70%。相比較5nm工藝，3nm工藝將減少25~30%的功耗，并且?guī)?lái)10~15%的性能提升。

在今年九月，臺(tái)積電就公布其3nm工藝量產(chǎn)目標(biāo)，2022年下半年的單月生產(chǎn)能力上升到5.5萬(wàn)張，到2023年的單月上升到10萬(wàn)張。同時(shí)，蘋(píng)果已經(jīng)包攬下最早一批3nm產(chǎn)能。

而三星一直希望在3nm工藝上實(shí)現(xiàn)對(duì)臺(tái)積電的反超。在核心技術(shù)方面，三星的3nm將改用Gate-All-Around（GAA，環(huán)繞柵極晶體管），臺(tái)積電則堅(jiān)持使用FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。三星也希望搶在明年就推出3nm產(chǎn)品，這也給臺(tái)積電極大的壓力。

目前來(lái)看，3nm工藝將成為各家晶圓代工廠競(jìng)爭(zhēng)的關(guān)鍵點(diǎn)，除了臺(tái)積電與三星以外，英特爾也表現(xiàn)出對(duì)3nm抱有極大期望，并且在5nm工藝階段就放棄FinFET，轉(zhuǎn)向GAA。

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