被人笑話的三星3nn,搞出全球首顆GAA芯片

jh 1年前 (2024-07-11)

就在幾天前,三星電子創(chuàng)造了半導(dǎo)體史上一個“不光彩”的記錄——有韓媒爆料稱,三星自家的Exynos 2500 ...

就在幾天前,三星電子創(chuàng)造了半導(dǎo)體史上一個“不光彩”的記錄——有韓媒爆料稱,三星自家的Exynos 2500 芯片目前良率略低于 20%,而在試生產(chǎn)該處理器時,最后統(tǒng)計出的良率竟然為0%。

緊接著,知名分析師郭明錤在其個人社交媒體上表示,Exynos 2500芯片良率因低于預(yù)期而無法出貨,高通將成為三星Galaxy S25系列機型的獨家SoC供應(yīng)商,這也佐證了前面提到的“離譜”數(shù)據(jù)。

事實上,此前已經(jīng)有多篇報道提到了臺積電3nm工藝產(chǎn)能吃緊,直接原因就是三星3nm工藝良品率過于拉胯,無法滿足客戶要求。但對于投入了近1160億美元的3nm項目來說,“20%良率”這個數(shù)據(jù)還是讓人感到懷疑。

對此,三星在最新聲明中否認了外界傳聞,表示:三星于 2022 年全球首次量產(chǎn)3nm GAA工藝之后,第二代3nm工藝性能穩(wěn)定,且產(chǎn)量已步入正軌。

同時,在昨天的新品發(fā)布會上,三星掏出了全球首顆基于GAA工藝的產(chǎn)品——Exynos W1000,代表著先進芯片制程正式從FinFET邁向了GAA。

雖然只是一塊顆可穿戴設(shè)備芯片,但這次Exynos W1000帶來的升級非常多。

與上一代Exynos W930相比,Exynos W1000采用了全新的“1+4”設(shè)計,擁有五個內(nèi)核,分別是1個Cortex -A78大核和4個Cortex-A55。

三星聲稱,與Exynos W930相比,新CPU單核性能快3.4倍,多核性能快3.7倍,應(yīng)用程序啟動時間快2.7倍,并且切換速度更快。

這是安卓手表首次用上了大核,雖然性能上還是比不過Apple Watch,但代表未來的安卓手機可以支持更多功能。

除了性能上有顯著提升外,Exynos W1000采用了扇出面板級封裝(FOPLP),這是一種使用廉價矩形基板代替?zhèn)鹘y(tǒng)圓形晶圓的封裝技術(shù),目的是在每個晶圓上放置更多的芯片并降低封裝成本。

另外,Exynos W1000還同時采用SiP(系統(tǒng)級封裝)、ePoP封裝(上嵌入式封裝),集成了電源管理芯片、DRAM、NAND存儲芯片,足以看出其集成度之高。

最后就是這塊芯片最大的亮點——GAA工藝(Gate-All-Around,全環(huán)繞柵極晶體管)。

要在指甲蓋大小的芯片里塞下數(shù)百億個晶體管,聽上去就如同天方夜譚,但工程師們總能想出新辦法。其中一種思路就是將晶體管像積木一樣堆疊起來,那么就能有效減少電路的占位面積,晶體管的密度就能翻倍,而GAA工藝就是由三星主推的堆疊工藝。

與之類似的還有臺積電主導(dǎo)的nanosheet工藝以及英特爾主導(dǎo)的nanowire工藝,雖然名字各不相同,但設(shè)計思路和GAA工藝大同小異,它們不僅可以解決晶體管密度問題,還可以解決FinFET工藝在2nm節(jié)點會出現(xiàn)的高溫以及漏電(leakage)現(xiàn)象。

聽上去思路很“簡單”,事實上想做出來真不簡單。

三星在10nm時代就提出了這個想法,并計劃在2022年的3nm節(jié)點引入GAA結(jié)構(gòu),但結(jié)果到了2024年才算拿出了成品芯片,并且只是一顆可穿戴設(shè)備芯片。

讓我們回到GAA工藝本身,由于三星并沒有使用納米線這樣的“行業(yè)標準”,而是使用了比導(dǎo)線更寬的片狀結(jié)構(gòu),因此他們創(chuàng)造了一種全新的MOSFET 架構(gòu)MBCFET(multi-bridgechannelFET)。

三星宣稱,MBCFET可以控制片寬來連續(xù)調(diào)整溝道寬度,并且讓器件的所有四個側(cè)面都可以充當通道

但難點在于,這種納米片需要反復(fù)開槽、器件間距需要精確控制,因此在材料、工藝方面的難度于步驟都大幅增加。最終,由于金屬柵極和氧化層的層積厚度很難控制,導(dǎo)致各層厚度不均,影響了整體良率。

想要直接提高良率的方式,靠的是Foundry(代工廠)的技術(shù)實力,但奈何三星Foundry的技術(shù)實力遠遠不及臺積電,自然就無法將良率提升上去。

另外,在3nm節(jié)點,臺積電已經(jīng)將FinFET的性能挖掘到盡頭,或許在晶體管密度上比不了三星GAA,但至少良率上不會像三星一樣翻車。

因此,三星在可穿戴設(shè)備芯片上搶發(fā)第二代3nmGAA工藝,最大目的還是想降低外界的質(zhì)疑聲。

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